目前，市場(chǎng)上主流的存儲(chǔ)器呈現(xiàn)三強(qiáng)鼎立的局面。據(jù)IC Insights預(yù)測(cè)，由于上半年價(jià)格的暴跌，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)在2016年整年里同比下降1%，2017年起市場(chǎng)將整體“回暖”，2020年其市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1000億美元。

 
　　存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。在計(jì)算機(jī)的運(yùn)算過(guò)程中，輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都會(huì)保存在存儲(chǔ)器里，可以說(shuō)存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)發(fā)展的核心部件之一。
 
　　在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長(zhǎng)的好年景以后，2015年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)陷入困境。個(gè)人電腦市場(chǎng)的低迷導(dǎo)致存儲(chǔ)器庫(kù)存過(guò)多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價(jià)格暴跌，2015年存儲(chǔ)器銷(xiāo)售額最終為780億美元，同比下降了3%。
 
　　這種頹勢(shì)延續(xù)到了2016年上半年，自2016年下半年開(kāi)始存儲(chǔ)器價(jià)格開(kāi)始變得異常堅(jiān)挺，而且持續(xù)至2016年末。不過(guò)據(jù)IC Insights估算，由于上半年價(jià)格的暴跌，2016全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)同比下降1%。
 
　　目前，市場(chǎng)上主流的存儲(chǔ)器呈現(xiàn)三強(qiáng)鼎立的局面——DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、NANDFlash(資料儲(chǔ)存型閃存)和NORFlash(非易失閃存)。2016年第一季度，DRAM市場(chǎng)93%的份額由韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)美光科技三家占據(jù)，而閃存市場(chǎng)幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾六家瓜分。
 
　　從產(chǎn)業(yè)方面講，無(wú)論是DRAM還是NANDFlash都處于高度壟斷，即便是有可能帶來(lái)產(chǎn)業(yè)變革機(jī)會(huì)的3D NAND產(chǎn)品，目前國(guó)際存儲(chǔ)大廠(chǎng)也在不斷疊加高技術(shù)壁壘。三星在3D NAND方面處于領(lǐng)先地位，主流技術(shù)已經(jīng)是64層的3D NAND，且其3D NAND產(chǎn)出己經(jīng)占到其N(xiāo)AND總出貨量的40%。東芝公司的追趕也很快。東芝計(jì)劃在2017年3D NAND占NAND產(chǎn)出的50%，2018年達(dá)80%。國(guó)際企業(yè)給中國(guó)大陸發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的機(jī)會(huì)窗口期將不長(zhǎng)。
 
　　受到智能手機(jī)需求的影響，2016年第三季度NAND閃存開(kāi)始漲價(jià)，使得NAND廠(chǎng)商營(yíng)收季度增長(zhǎng)19.6%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率環(huán)比大幅增加。DRAMeXchange預(yù)測(cè)認(rèn)為，第四季度各類(lèi)電子終端設(shè)備的出貨量將進(jìn)入年度高峰期，預(yù)估整體NAND閃存將呈供不應(yīng)求的狀況，NAND閃存的合約價(jià)格漲幅將會(huì)更高。
 
　　DRAM是2013與2014年存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)的主力軍，但2015年DRAM銷(xiāo)售額下降3%，2016年下跌10%，這導(dǎo)致全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)連續(xù)兩年下跌。預(yù)計(jì)2017年DRAM價(jià)格將大幅上漲，從而帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)11%。NAND閃存在2016年還是實(shí)現(xiàn)了增長(zhǎng)，2017年將再增長(zhǎng)10%。
 
　　IC Insights預(yù)計(jì)2017年存儲(chǔ)器價(jià)格還將上漲，從而推動(dòng)全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的853億美元，同比增長(zhǎng)10%。而今后幾年存儲(chǔ)器市場(chǎng)都將非常健康，在2020年之前每年都能保證增長(zhǎng)，并于2020年達(dá)到1000億美元的規(guī)模。2021年可能接近1100億美元左右。
 
　　與此同時(shí)， IC Insights認(rèn)為，從2016年到2021年年平均增長(zhǎng)率可達(dá)7.3%，比集成電路整體市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率高2.4個(gè)百分點(diǎn)，存儲(chǔ)器模組的年復(fù)合增長(zhǎng)率為5.6%，價(jià)格上漲成為存儲(chǔ)器市場(chǎng)表現(xiàn)好的極大因素。不過(guò)IC Insights預(yù)計(jì)，從現(xiàn)在到2021年，每年存儲(chǔ)器價(jià)格都將上漲，平均價(jià)格每年上漲1.8%。
 
　　另外，中國(guó)近些年也一直很關(guān)注存儲(chǔ)器的發(fā)展。2016年武漢、合肥、深圳、泉州等多地紛紛傳出加碼存儲(chǔ)器芯片的聲音，擬布局或開(kāi)工建設(shè)存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)線(xiàn)。例如，北京有紫光集團(tuán)宣布投資300億美元做存儲(chǔ)器，武漢有武漢新芯準(zhǔn)備耗資240億美元打造國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)器基地，合肥放言要打造IC之都，福建晉江也在躍躍欲試。
 
　　現(xiàn)如今，中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)形成了三路進(jìn)擊的趨勢(shì)，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢(shì)力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國(guó)主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫合作下也開(kāi)始蠢蠢欲動(dòng)。

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