國(guó)家存儲(chǔ)器基地開(kāi)建,集成電路存儲(chǔ)芯片規(guī)模化‘零’突破
2017-01-03 來(lái)源:中國(guó)智能制造網(wǎng) 評(píng)論:0摘要:歷經(jīng)近一年的籌備工作,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目如期開(kāi)工建設(shè),這標(biāo)志著我國(guó)存儲(chǔ)器及相關(guān)產(chǎn)業(yè)將從無(wú)到有,芯片國(guó)產(chǎn)化向前邁進(jìn)了一大步。 12月
歷經(jīng)近一年的籌備工作,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目如期開(kāi)工建設(shè),這標(biāo)志著我國(guó)存儲(chǔ)器及相關(guān)產(chǎn)業(yè)將從無(wú)到有,芯片國(guó)產(chǎn)化向前邁進(jìn)了一大步。
12月30日,總投資240億美元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢東湖高新區(qū)未來(lái)科技城正式開(kāi)工建設(shè)。2020年全面建成后,年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元,實(shí)現(xiàn)我國(guó)集成電路存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?;l(fā)展“零”的突破。
國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年3月落地,經(jīng)過(guò)了近一年的籌備調(diào)整。該項(xiàng)目以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口,集存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷(xiāo)售于一體,建成后,還將帶動(dòng)設(shè)計(jì)、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展。
如果說(shuō)2D閃存是建平房,3D NAND存儲(chǔ)就是蓋樓房,現(xiàn)在國(guó)際主流產(chǎn)品已經(jīng)“蓋”到48層,未來(lái)有可能到96層、128層,存儲(chǔ)容量大幅提升。存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片,最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和先進(jìn)制造工藝,同時(shí)也是我國(guó)進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。
資料顯示,存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)是全球壟斷最為嚴(yán)重的芯片細(xì)分市場(chǎng),DRAM和NANDFLASH芯片市場(chǎng)長(zhǎng)期被韓國(guó)美日壟斷,尤其以韓國(guó)三星、SKHynix兩家為首,共占據(jù)了DRAM市場(chǎng)和NANDFLASH市場(chǎng)70%和50%的市場(chǎng)份額。中國(guó)于2013年發(fā)布了自主研發(fā)的55納米相變存儲(chǔ)芯片,成為繼美國(guó)和韓國(guó)后,全球第三個(gè)掌握相變存儲(chǔ)技術(shù)的國(guó)家。
紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司董事長(zhǎng)趙偉國(guó)表示:“集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心,保障著國(guó)家信息安全,其中存儲(chǔ)器約占集成電路產(chǎn)業(yè)的25%。這個(gè)項(xiàng)目對(duì)中國(guó)科技事業(yè)的意義,不亞于‘遼寧號(hào)’航空母艦出海試航。”
據(jù)了解,基地由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè),主要研發(fā)生產(chǎn)以3D NAND技術(shù)為核心的存儲(chǔ)器芯片。該基地占地1968畝,分為三期建設(shè),項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn),月產(chǎn)晶圓硅片10萬(wàn)片,相當(dāng)于8.5億顆芯片。2020年完成整個(gè)項(xiàng)目后,總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月,年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元,形成設(shè)計(jì)、測(cè)試、封裝、制造、應(yīng)用等上下游集群。
未來(lái)幾年,在武漢光谷東這片高科技公司云集的土地上,將建起3座全球單體潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓及其他配套設(shè)施。其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備,每平方米投資強(qiáng)度超過(guò)3萬(wàn)美元。這是新中國(guó)成立以來(lái)湖北省最大單體投資高科技產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目,也是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)有史以來(lái)最大單體投資項(xiàng)目。
總體而言,芯片國(guó)產(chǎn)化是我國(guó)在信息安全自主可控政策的實(shí)踐領(lǐng)域之一,作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè),半導(dǎo)體集成電路持續(xù)受到了國(guó)家政策的扶持。而存儲(chǔ)器是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一,產(chǎn)品的成熟度和產(chǎn)業(yè)的規(guī)模效應(yīng)均較為顯著,國(guó)家存儲(chǔ)器基地的建立,標(biāo)志著芯片國(guó)產(chǎn)化之路邁出可靠而重要的一步。
相關(guān)熱詞搜索:存儲(chǔ)器基地 集成電路 存儲(chǔ)芯片 先進(jìn)制造業(yè) 智能制造
12月30日,總投資240億美元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢東湖高新區(qū)未來(lái)科技城正式開(kāi)工建設(shè)。2020年全面建成后,年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元,實(shí)現(xiàn)我國(guó)集成電路存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?;l(fā)展“零”的突破。
國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年3月落地,經(jīng)過(guò)了近一年的籌備調(diào)整。該項(xiàng)目以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口,集存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷(xiāo)售于一體,建成后,還將帶動(dòng)設(shè)計(jì)、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展。
如果說(shuō)2D閃存是建平房,3D NAND存儲(chǔ)就是蓋樓房,現(xiàn)在國(guó)際主流產(chǎn)品已經(jīng)“蓋”到48層,未來(lái)有可能到96層、128層,存儲(chǔ)容量大幅提升。存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片,最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和先進(jìn)制造工藝,同時(shí)也是我國(guó)進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。
資料顯示,存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)是全球壟斷最為嚴(yán)重的芯片細(xì)分市場(chǎng),DRAM和NANDFLASH芯片市場(chǎng)長(zhǎng)期被韓國(guó)美日壟斷,尤其以韓國(guó)三星、SKHynix兩家為首,共占據(jù)了DRAM市場(chǎng)和NANDFLASH市場(chǎng)70%和50%的市場(chǎng)份額。中國(guó)于2013年發(fā)布了自主研發(fā)的55納米相變存儲(chǔ)芯片,成為繼美國(guó)和韓國(guó)后,全球第三個(gè)掌握相變存儲(chǔ)技術(shù)的國(guó)家。
紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司董事長(zhǎng)趙偉國(guó)表示:“集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心,保障著國(guó)家信息安全,其中存儲(chǔ)器約占集成電路產(chǎn)業(yè)的25%。這個(gè)項(xiàng)目對(duì)中國(guó)科技事業(yè)的意義,不亞于‘遼寧號(hào)’航空母艦出海試航。”
據(jù)了解,基地由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè),主要研發(fā)生產(chǎn)以3D NAND技術(shù)為核心的存儲(chǔ)器芯片。該基地占地1968畝,分為三期建設(shè),項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn),月產(chǎn)晶圓硅片10萬(wàn)片,相當(dāng)于8.5億顆芯片。2020年完成整個(gè)項(xiàng)目后,總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月,年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元,形成設(shè)計(jì)、測(cè)試、封裝、制造、應(yīng)用等上下游集群。
未來(lái)幾年,在武漢光谷東這片高科技公司云集的土地上,將建起3座全球單體潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓及其他配套設(shè)施。其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備,每平方米投資強(qiáng)度超過(guò)3萬(wàn)美元。這是新中國(guó)成立以來(lái)湖北省最大單體投資高科技產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目,也是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)有史以來(lái)最大單體投資項(xiàng)目。
總體而言,芯片國(guó)產(chǎn)化是我國(guó)在信息安全自主可控政策的實(shí)踐領(lǐng)域之一,作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè),半導(dǎo)體集成電路持續(xù)受到了國(guó)家政策的扶持。而存儲(chǔ)器是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一,產(chǎn)品的成熟度和產(chǎn)業(yè)的規(guī)模效應(yīng)均較為顯著,國(guó)家存儲(chǔ)器基地的建立,標(biāo)志著芯片國(guó)產(chǎn)化之路邁出可靠而重要的一步。
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